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• 半导体研究所 [14]

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• OAI收割 [14]

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• 期刊论文 [14]

发表日期

• 2011 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [14]

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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 One-pot synthesis, optical property and self-assembly of monodisperse silver nanospheres 期刊论文  OAI收割 journal of solid state chemistry, 2011, 卷号: 184, 期号: 8, 页码: 1956-1962 Tang AW; Qu SC; Hou YB; Teng F; Wang YS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2011/09/14 LIGHT-EMITTING-DIODES  NANOCRYSTAL SUPERLATTICES  GOLD NANOPARTICLES  AG NANOPARTICLES  ORGANIZATION  MONOLAYERS  NANODISKS  NANORODS  2D   Strain effects on optical polarisation properties in (11(2)over-bar2) plane GaN films 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117104 Hao GD (Hao Guo-Dong); Chen YH (Chen Yong-Hai); Fan YM (Fan Ya-Ming); Huang XH (Huang Xiao-Hui); Wang HB (Wang Huai-Bing) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/12/28 LIGHT-EMITTING-DIODES  WURTZITE SEMICONDUCTORS  QUANTUM-WELLS  MATRIX-ELEMENTS  SEMIPOLAR  SAPPHIRE   Investigation of native defects and property of bulk ZnO single crystal grown by a closed chemical vapor transport method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 3, 页码: 639-645 Wei, XC; Zhao, YW; Dong, ZY; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/08 defects  X-ray diffraction  growth from vapor  oxides  semiconducting II-VI materials   Preferential orientation growth of AIN thin films on Si (111) substrates by LP-MOCVD 期刊论文  OAI收割 modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Luo, MC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminum nitride  low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD)  V/III ratio  preferential orientation growth mechanism   Application of step-scan FTIR to the research of quantum cascade lasers 期刊论文  OAI收割 chinese optics letters, 2005, 卷号: 3, 期号: 10, 页码: 603-604 作者:  Liu Junqi 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Theoretical investigation of intersubband transition in AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN step quantum well 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 453-461 Li, JM; Lu, YW; Han, XX; Wu, JJ; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：200/76  |  提交时间：2010/03/17 quantum wells   Effect of misfit dislocation originated from strained layer on photoluminescence properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 971-974 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/17 OPTICAL-PROPERTIES   Aharonov-Bohm oscillation and chirality effect in optical activity of single-wall carbon nanotubes 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2004, 卷号: 70, 期号: 15, 页码: art.no.153406 Ye F; Wang BS; Su ZB 收藏  |  浏览/下载：151/35  |  提交时间：2010/03/09 PHASE   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON   Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260 Tan LW; Wang QY; Wang J; Yu YH; Liu ZL; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 heteroepitaxial growth  gamma-Al2O3  silicon  silicon on insulator  FILMS  SI  DEPOSITION  AL2O3