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西安光学精密机械研... [61]
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OAI收割 [61]
内容类型
专利 [61]
发表日期
2016 [2]
2011 [2]
2007 [2]
2004 [3]
2003 [2]
1999 [2]
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共61条,第1-10条
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内容类型:专利
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AlGaInP-based semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23
作者:
HAGIMOTO, MASATO
;
FUKAI, HARUKI
;
KIYOSUMI, TSUTOMU
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提交时间:2019/12/26
具有高热波长调谐效率的可调激光器
专利
OAI收割
专利号: CN105409071A, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2016-03-16
作者:
陈宏民
;
颜学进
;
苗容生
;
沈晓
;
刘宗荣
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提交时间:2020/01/18
Multi-band laser architecture
专利
OAI收割
专利号: US8995494, 申请日期: 2015-03-31, 公开日期: 2015-03-31
作者:
POMERANZ, LEONARD A
;
OWEN, JOSEPH M
;
SHAW, MICHAEL J.
;
KELLY, DAVID P.
;
STAVER, PHILIP R.
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提交时间:2019/12/24
Quantum cascade laser amplifier with an anti-reflection coating including a layer of yttrium fluoride
专利
OAI收割
专利号: US7944959, 申请日期: 2011-05-17, 公开日期: 2011-05-17
作者:
MAULINI, RICHARD
;
BLASER, STEPHANE
;
FAIST, JEROME
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提交时间:2019/12/26
Separate confinement heterostructure with asymmetric structure and composition
专利
OAI收割
专利号: US7903711, 申请日期: 2011-03-08, 公开日期: 2011-03-08
作者:
HASENBERG, THOMAS C.
;
LIU, GUOLI
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提交时间:2019/12/24
Buried semiconductor laser and method for manufacturing the same
专利
OAI收割
专利号: US7782919, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:
AE, SATOSHI
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提交时间:2019/12/26
InP-계 수직공진 표면발광레이저를 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 디바이스
专利
OAI收割
专利号: KR1020070050501A, 申请日期: 2007-05-15, 公开日期: 2007-05-15
作者:
캐뉴,캐서린쥐
;
홀,벤자민엘
;
니시야마,노부히코
;
자,청 엔
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提交时间:2019/12/31
High-power infrared semiconductor diode light emitting device
专利
OAI收割
专利号: US20070002915A1, 申请日期: 2007-01-04, 公开日期: 2007-01-04
作者:
BEAN, DAVID M.
;
QIAN, YI
;
PULVER, DANIEL E.
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor substrates and structures
专利
OAI收割
专利号: US6818925, 申请日期: 2004-11-16, 公开日期: 2004-11-16
作者:
MASSA, JOHN STEPHEN
;
TAYLOR, ADRIAN JOHN
;
MOSS, RODNEY HOLLANDS
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提交时间:2019/12/26
Quantum well intermixing in InGaAsP structures induced by low temperature grown InP
专利
OAI收割
专利号: US6797533, 申请日期: 2004-09-28, 公开日期: 2004-09-28
作者:
THOMPSON, DAVID A.
;
ROBINSON, BRADLEY J.
;
LETAL, GREGORY J.
;
LEE, ALEX S. W.
;
GORDON, BROOKE
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提交时间:2019/12/26