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AlGaInP-based semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23
作者:  
HAGIMOTO, MASATO;  FUKAI, HARUKI;  KIYOSUMI, TSUTOMU
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具有高热波长调谐效率的可调激光器 专利  OAI收割
专利号: CN105409071A, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2016-03-16
作者:  
陈宏民;  颜学进;  苗容生;  沈晓;  刘宗荣
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2020/01/18
Multi-band laser architecture 专利  OAI收割
专利号: US8995494, 申请日期: 2015-03-31, 公开日期: 2015-03-31
作者:  
POMERANZ, LEONARD A;  OWEN, JOSEPH M;  SHAW, MICHAEL J.;  KELLY, DAVID P.;  STAVER, PHILIP R.
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/24
Quantum cascade laser amplifier with an anti-reflection coating including a layer of yttrium fluoride 专利  OAI收割
专利号: US7944959, 申请日期: 2011-05-17, 公开日期: 2011-05-17
作者:  
MAULINI, RICHARD;  BLASER, STEPHANE;  FAIST, JEROME
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26
Separate confinement heterostructure with asymmetric structure and composition 专利  OAI收割
专利号: US7903711, 申请日期: 2011-03-08, 公开日期: 2011-03-08
作者:  
HASENBERG, THOMAS C.;  LIU, GUOLI
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/24
Buried semiconductor laser and method for manufacturing the same 专利  OAI收割
专利号: US7782919, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:  
AE, SATOSHI
  |  收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26
InP-계 수직공진 표면발광레이저를 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 디바이스 专利  OAI收割
专利号: KR1020070050501A, 申请日期: 2007-05-15, 公开日期: 2007-05-15
作者:  
캐뉴,캐서린쥐;  홀,벤자민엘;  니시야마,노부히코;  자,청 엔
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High-power infrared semiconductor diode light emitting device 专利  OAI收割
专利号: US20070002915A1, 申请日期: 2007-01-04, 公开日期: 2007-01-04
作者:  
BEAN, DAVID M.;  QIAN, YI;  PULVER, DANIEL E.
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Semiconductor substrates and structures 专利  OAI收割
专利号: US6818925, 申请日期: 2004-11-16, 公开日期: 2004-11-16
作者:  
MASSA, JOHN STEPHEN;  TAYLOR, ADRIAN JOHN;  MOSS, RODNEY HOLLANDS
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Quantum well intermixing in InGaAsP structures induced by low temperature grown InP 专利  OAI收割
专利号: US6797533, 申请日期: 2004-09-28, 公开日期: 2004-09-28
作者:  
THOMPSON, DAVID A.;  ROBINSON, BRADLEY J.;  LETAL, GREGORY J.;  LEE, ALEX S. W.;  GORDON, BROOKE
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