中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
  • 半导体物理 [2]
筛选

浏览/检索结果: 共2条,第1-2条 帮助

限定条件    
条数/页: 排序方式:
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
Deng AH; Mascher P; Zhao YW; Lin LY
收藏  |  
Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2878-2879
Zhao YW; Dong HW; Chen YH; Zhang YH; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY; Fung S
收藏  |