中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2003 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932
Deng AH
;
Mascher P
;
Zhao YW
;
Lin LY
收藏
  |  
Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2878-2879
Zhao YW
;
Dong HW
;
Chen YH
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Fung S
收藏
  |