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• 半导体研究所 [38]

采集方式

• OAI收割 [38]

内容类型

• 期刊论文 [35]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [3]
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学科主题

• 半导体物理 [38]

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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Direct observation of excitonic polaron in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 epl, EPL, 2010, 2010, 卷号: 90, 90, 期号: 3, 页码: art. no. 37004, Art. No. 37004 作者:  Gong M (Gong Ming);  Chen G (Chen Geng);  He LX (He Lixin);  Li CF (Li Chuan-Feng);  Tang JS (Tang Jian-Shun)   |  收藏  |  浏览/下载：122/3  |  提交时间：2010/07/18 PHONON COUPLING REGIME  Phonon Coupling Regime   Dyakonov-Perel spin relaxation in InSb/AlxIn(1-x)Sb quantum wells 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 15, 页码: art.no.153307 Li J (Li Jun); Chang K (Chang Kai); Peeters FM (Peeters F. M.) 收藏  |  浏览/下载：209/55  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS   Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3440-3443 Dou, XM; Sun, BQ; Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：69/1  |  提交时间：2010/03/08 CARRIER RELAXATION  ENERGY RELAXATION  LINE-SHAPE  EMISSION  DENSITY   Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1 Zhong, L; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/08 tensile strain  GaAsP/GaInP  photoluminescence  quantum well  laser diodes  LP-MOCVD   Coherence loss and recovery of an electron spin coupled inhomogeneously to a one-dimensional interacting spin bath: An adaptive time-dependent density-matrix renormalization group study 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: art. no. 054433 Wang, ZH; Wang, BS; Su, ZB 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/08 WAVE-FUNCTION COLLAPSE  QUANTUM  MODEL  DECOHERENCE  REDUCTION  DYNAMICS  SILICON   Nonlinear Rashba model and spin relaxation in quantum wells 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 74, 期号: 19, 页码: art.no.193314 Yang W (Yang W.); Chang K (Chang Kai) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/04/11 2-DIMENSIONAL ELECTRON  ORBIT INTERACTION  GATE CONTROL  HETEROSTRUCTURES  APPROXIMATION  SPINTRONICS  ANISOTROPY  SYSTEMS  DEVICE   Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366 Lu, W; Li, DB; Li, CR; Shen, F; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：303/45  |  提交时间：2010/03/09 CRITICAL LAYER THICKNESS   Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文  OAI收割 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003 Ying-Qiang X; Zhang W; Niu ZC; Wu RG; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：16/1  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  SiO2 encapsulation  rapid-thermal-annealing  nitrogen reorganization  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  MU-M   Photoluminescence of Te isoelectronic centers in ZnS : Te under hydrostatic pressure 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 38-42 Fang, ZL; Su, FH; Ma, BS; Ding, K; Han, HX; Li, GH; Sou, IK; Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：101/22  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文  OAI收割 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE