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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  含有硅化物埋层的SOI材料  SiGe HBT  三维电路   Characterization of bonded silicon-on-aluminum-nitride wafers with RBS, TEM and HRXRD techniques 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 8, 页码: 1807-1810 Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 BEAM-ENHANCED DEPOSITION  ALN THIN-FILMS   离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2006, 期号: 03 陶凯; 俞跃辉; 郑智宏; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 图形化PSOI  横向双扩散MOSFET  击穿电压  结构优化   电绝缘用ta-C薄膜的微观结构与电学特性 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2003, 期号: 04 宋朝瑞; 俞跃辉; 邹世昌; 张福民; 王曦 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 多芯片组件  热设计  有限元法   SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2001, 期号: 10 韩永召; 李炳宗; 茹国平; 屈新萍; 曹永峰; 徐蓓蕾; 蒋玉龙; 王连卫; 张荣耀; 朱剑豪 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/29 氧分压对动态离子束辅助沉积合成的氧化钛膜的影响 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2001, 期号: 01 王向晖; 张峰; 李昌荣; 郑志宏; 陈莉芝; 王惠民; 柳襄怀 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/29 多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2001, 期号: 04 刘卫丽; 多新中; 张苗; 沈勤我; 王连卫; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 绝缘体上的硅  多孔硅  外延   氮离子注入金刚石薄膜的研究 期刊论文  OAI收割 中国科学E辑:技术科学, 1997, 期号: 03 辛火平; 林成鲁; 王建新; 邹世昌; 石晓红; 林梓鑫; 周祖尧; 刘祖刚 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/29 一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 1997, 期号: 09 竺士场; 张苗; 林成鲁; 黄宜平; 吴东平; 李金华 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/29 SIMOX结构退化的卢瑟福背散射研究 期刊论文  OAI收割 微细加工技术, 1996, 期号: 03 蒋美萍; 李金华; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 SIMOX  RBS分析  SOI结构