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• 专利 [9]

发表日期

• 2019 [1]
• 2012 [1]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种配方烟丝中膨胀烟丝全自动分离仪及其控制方法 专利  OAI收割 专利号: CN105910943B, 申请日期: 2019-03-01, 作者:  邓国栋;  花昌义;  李志刚;  堵劲松;  张大波   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/12/14 一种碲化铋基块体热电材料的制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2012-08-15, 公开日期: 2013-12-16 蒋俊; 肖昱琨; 杨胜辉; 许高杰; 李志祥; 张婷; 翟永彪 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/12/16 一种碲化铋基热电材料的制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN 1974079, 申请日期: 2007-06-06, 公开日期: 2007-06-06, 2009-12-29 蒋俊; 许高杰; 崔平; 李亚丽 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2009/12/29 一种碲化铋基热电材料的制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-06, 公开日期: 2013-12-16 蒋俊; 许高杰; 崔平; 李亚丽 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2013/12/16 一种碲化铋基热电材料的制备工艺 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2013-12-16 蒋俊; 许高杰; 崔平; 李亚丽 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/12/16 一种碲化铋基热电材料的制备工艺 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN1962416, 申请日期: 2007-05-16, 公开日期: 2007-05-16, 2009-12-29 蒋俊; 许高杰; 崔平; 李亚丽 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2009/12/29 Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation 专利  OAI收割 专利号: US6614821, 申请日期: 2003-09-02, 公开日期: 2003-09-02 作者:  JIKUTANI, NAOTO;  TAKAHASHI, TAKASHI;  SATO, SHUNICHI   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 Selectively Si-doped InAs/A1AsSb short-period-superlattices as N-type cladding layers for mid-IR laser structures grown on InAs substrates 专利  OAI收割 专利号: US5594750, 申请日期: 1997-01-14, 公开日期: 1997-01-14 作者:  ZHANG, YONG H.;  CHOW, DAVID H.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 - 专利  OAI收割 专利号: JP1988022478B2, 申请日期: 1988-05-12, 公开日期: 1988-05-12 作者:  ISHIKAWA HIROSHI;  TAKAGI NOBUYUKI;  IMAI HAJIME   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18