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  • 半导体物理 [6]
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Surface alloy formation of noble adatoms adsorbed on Si(111)-root 3 x root 3-Pb surface: a first-principles study 期刊论文  OAI收割
journal of physics-condensed matter, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2011, 2011, 卷号: 23, 23, 期号: 26, 页码: art. no. 265001, Art. No. 265001
作者:  Li C;  Wang F;  Sun Q;  Jia Y
  |  收藏  |  浏览/下载：89/7  |  提交时间：2011/07/07
Effects of seed dot layer and thin GaAs spacer layer on the structure and optical properties of upper In(Ga)As quantum dots 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 11, 页码: 8898-8902
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：262/9  |  提交时间：2010/08/12
Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962
Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12
Electrical transport through individual DNA molecules 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 14, 页码: 2190-2192
Li XQ; Yan Y
收藏  |  浏览/下载：68/4  |  提交时间：2010/08/12
Morphology and photoluminescence of GeSi self-assembled quantum dot on Si(113) 期刊论文  OAI收割
acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1745-1750
Si JJ; Yang QQ; Teng D; Wang HJ; Yu JZ; Wang QM; Guo LW; Zhou JM
收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12
扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 158
赵谦; 封松林; 王志明
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23