机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2011 [1]
• 2008 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体器件 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 1, 页码: 17103 Cao, ZF; Lin, ZJ; Lu, YJ; Luan, CB; Yu, YX; Chen, H; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/20 Plasmonic Polymer Tandem Solar Cell 期刊论文  OAI收割 acs nano, 2011, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 6210-6217 作者:  Tan HR;  Zhang XW;  You JB 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2011/09/14 PHOTOVOLTAIC CELLS  ABSORPTION ENHANCEMENT  SELF-ORGANIZATION  EFFICIENCY  NANOCLUSTERS  FLUORESCENCE  RESONANCE  DESIGN  BLENDS   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：74/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD   Studies of 6H-SiC devices 会议论文  OAI收割 korea-china joint symposium on smiconductor physics and device applications, seoul, south korea, dec 05-09, 2001 Wang SR; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 SiC  Schottky  pn junction diodes  MOS capacitor  JUNCTION DIODES   Ti Schottky barrier diodes on n-type 6H-SiC 会议论文  OAI收割 6th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, shanghai, peoples r china, oct 22-25, 2001 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMICONDUCTOR