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Nanowire array-based light emitting diodes and lasers 专利  OAI收割
专利号: US8426224, 申请日期: 2013-04-23, 公开日期: 2013-04-23
作者:  WANG, DELI;  BAO, XINYU;  XIANG, BIN;  SOCI, CESARE;  APLIN, DAVID
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Semiconductor laser cladding layers 专利  OAI收割
专利号: US20040223529A1, 申请日期: 2004-11-11, 公开日期: 2004-11-11
作者:  BRUNO, JOHN D.;  TOWNER, FREDERICK JAY
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Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking 专利  OAI收割
专利号: US6455337, 申请日期: 2002-09-24, 公开日期: 2002-09-24
作者:  SVERDLOV, BORIS N.
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26
Aperiodic gratings 专利  OAI收割
专利号: GB2347520A, 申请日期: 2000-09-06, 公开日期: 2000-09-06
作者:  ROBERT, JOSEPH, MEARS;  MICHAEL, CHARLES, PARKER
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18
Extended wavelength strained layer lasers having short period superlattices 专利  OAI收割
专利号: US5719895, 申请日期: 1998-02-17, 公开日期: 1998-02-17
作者:  JEWELL, JACK L.;  TEMKIN, HENRYK
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
Method of forming a rotation-induced superlattice structure 专利  OAI收割
专利号: EP0508463B1, 申请日期: 1997-07-02, 公开日期: 1997-07-02
作者:  KAO, YUNG-CHUNG;  LIU, HUNG-YU;  SEABAUGH, ALAN C.;  LUSCOMBE, JAMES H.
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24
Selectively Si-doped InAs/A1AsSb short-period-superlattices as N-type cladding layers for mid-IR laser structures grown on InAs substrates 专利  OAI收割
专利号: US5594750, 申请日期: 1997-01-14, 公开日期: 1997-01-14
作者:  ZHANG, YONG H.;  CHOW, DAVID H.
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
High band-gap opto-electronic device and method for making same 专利  OAI收割
专利号: EP0378919B1, 申请日期: 1995-11-15, 公开日期: 1995-11-15
作者:  KUO, CHIH-PING;  FLETCHER, ROBERT M.
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Free standing quantum well structure 专利  OAI收割
专利号: EP0637110A1, 申请日期: 1995-02-01, 公开日期: 1995-02-01
作者:  KNOX, WAYNE HARVEY;  SHUNK, STEPHEN CASON;  WILLIAMS, MICHAEL D.;  ZUCKER, JANE ELISA
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Semiconductor device 专利  OAI收割
专利号: EP0334759B1, 申请日期: 1994-08-03, 公开日期: 1994-08-03
作者:  AWANO, YUJI
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