机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2011     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 1.3-mu m in(ga)as quantum-dot vcsels fabricated by dielectric-free approach with surface-relief process 期刊论文  iSwitch采集 Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93 作者:  Xu, D. W.;  Yoon, S. F.;  Ding, Y.;  Tong, C. Z.;  Fan, W. J. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Dielectric-free approach  Quantum dot (qd)  Surface-relief technique  Vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels)   1.3-mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process 期刊论文  OAI收割 ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93 Xu DW; Yoon SF; Ding Y; Tong CZ; Fan WJ; Zhao LJ 收藏  |  浏览/下载：99/2  |  提交时间：2011/07/05 Dielectric-free approach  quantum dot (QD)  surface-relief technique  vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)  EMITTING LASERS