机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low threshold lasing of gan-based vertical cavity surface emitting lasers with an asymmetric coupled quantum well active region 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 19, 页码: 3 作者:  Zhang, Jiang-Yong;  Cai, Li-E;  Zhang, Bao-Ping;  Li, Shui-Qing;  Lin, Feng 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Optical pumping  Quantum well lasers  Spontaneous emission  Surface emitting lasers  Wide band gap semiconductors   Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508 Zuo R (Zuo Ran); Zhang H (Zhang Hong); Liu XL (Liu Xiang-lin) 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 flow recirculation  numerical modeling  reactor  transport process  MOCVD  thin film growth  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  MOVPE REACTOR  GROWTH  DESIGN  GAN