机构

• 微电子研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 外文期刊 [2]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [1]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊  OAI收割 2006 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26