机构

• 微电子研究所 [22]
• 物理研究所 [5]
• 新疆理化技术研究所 [5]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [34]

内容类型

• 期刊论文 [27]
• 外文期刊 [5]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2022 [1]
• 2021 [1]
• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 2017 [3]
• 2016 [2]
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学科主题

• 微电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共34条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 1/f Noise responses of Ultra-Thin Body and Buried oxide FD-SOI PMOSFETs under total ionizing dose irradiation 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2022, 卷号: 176, 期号: 11-12, 页码: 1202-1214 作者:  Zhang, RQ (Zhang, Ruiqin) [1] , [2] , [3];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1] , [2];  Lu, W (Lu, Wu) [1] , [2];  Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1] , [2];  Li, YD (Li, Yudong) [1] , [2]   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2022/04/07 Total ionizing dose irradiation  UTBB FD-SOI  1  f noise   TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan);  1An, X (An, Xia) 1;  Li, GS (Li, Gensong) 1;  Liu, JY (Liu, Jingyi) 1;  Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2021/09/22 65 nmhot-carrier injection (HCI)layout-dependent effect (LDE)nMOSstressthreshold voltagetotal ionizing dose (TID)   A study on effects of total ionizing dose on hot carrier effect of PD I/O SOI PMOSFETs 期刊论文  OAI收割 RESULTS IN PHYSICS, 2019, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1-5 作者:  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zhou, H (Zhou, Hang)[ 1,2,3 ];  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/03/20 Hot carrier effect  PMOS  Total ionizing dose effect   Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method 期刊论文  OAI收割 Applied Physics A, 2018 作者:  Wang RH(王瑞恒);  Ceng CB(曾传滨);  Li XJ(李晓静);  Han ZS(韩郑生);  Luo JJ(罗家俊)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/03/27 Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文  OAI收割 Microelectronic Engineering, 2017 作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/07/09 pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Yang T(杨涛)   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/05 Strained Germanium Quantum Well PMOSFETs on SOI with Mobility Enhancement by External Uniaxial Stress 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Niu JB(牛洁斌)   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2018/07/13 High-Mobility P-Type MOSFETs with Integrated Strained-Si0.73Ge0.27 Channels and High-k/Metal Gates 期刊论文  OAI收割 CHIN. PHYS. LETT., 2016 作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Zhu ZY(朱正勇);  Wang GL(王桂磊);  Zhu HL(朱慧珑);  Li JF(李俊峰)   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/05/09 Process optimizations to recessed e-SiGe source/drain for performance enhancement in 22nm all-last high-k/metal-gate pMOSFETs 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2016 作者:  Qin ZL(秦长亮)   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/05/09 Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics C, 2015 作者:  Li BH(李彬鸿);  Zheng ZS(郑中山);  Zhao X(赵星)   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/03