机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2003 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [1]
• 1996 [1]
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学科主题

• 半导体物理 [6]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Coherence loss and recovery of an electron spin coupled inhomogeneously to a one-dimensional interacting spin bath: An adaptive time-dependent density-matrix renormalization group study 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: art. no. 054433 Wang, ZH; Wang, BS; Su, ZB 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/08 WAVE-FUNCTION COLLAPSE  QUANTUM  MODEL  DECOHERENCE  REDUCTION  DYNAMICS  SILICON   Influence of longitudinal electric field on the hot-phonon effect in quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 1, 页码: art.no.013707 Zhang JZ (Zhang J. -Z.); Zhu BF (Zhu B. -F.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/04/11 CASCADE LASERS  SUPERLATTICES  RELAXATION  RATES  SIMULATION  TRANSPORT  DYNAMICS  CARRIERS  MODES   Study on the reverse characteristics of Ti/6H-SiC Schottky contacts 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 211-216 Shang YC; Liu ZL; Wang SR 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 SiC  Schottky contacts  reverse characteristics  tunneling current  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  INHOMOGENEITIES  DIODES   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 Wu MF; Yao SD; Vantomme A; Hogg S; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 YTTRIUM-SILICIDE LAYERS  ERSI1.7 LAYERS  COSI2 LAYERS  THIN-FILMS  IMPLANTATION  SI  DIFFRACTION  STABILITY  KINETICS  SI(111)   Optical study of heterointerface configuration in narrow GaAs/AlGaAs single quantum wells prepared with growth interruption 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 2, 页码: 1073-1077 Yuan ZL; Xu ZY; Zheng BZ; Luo CP; Xu JZ; Ge WK; Zhang PH; Yang XP 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MONOLAYER-FLAT ISLANDS  SEMICONDUCTOR INTERFACES  EXCITON TRANSFER  TEMPERATURE  LINEWIDTH  DYNAMICS