机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2010 [1]
• 2001 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体物理 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204, Art. No. 193204 作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai)   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  Impurities  Gaas1-xnx  Nitrogen  Gainnas  States  Traps  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Strong three-level resonant magnetopolaron effect due to the intersubband coupling in heavily modulation-doped GaAs/AlxGa1-xAs single quantum wells at high magnetic-fields 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2001, 卷号: 64, 期号: 16, 页码: art.no.161303 Wang YJ; Leem YA; McCombe BD; Wu XG; Peeters FM; Jones ED; Reno JR; Lee XY; Jiang HW 收藏  |  浏览/下载：93/10  |  提交时间：2010/08/12 POLARON-CYCLOTRON-RESONANCE  GAAS-ALAS SUPERLATTICES  PHONON MODES  HETEROSTRUCTURES   Temperature-induced turnover of the well and barrier layers in ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se superlattices 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 4, 页码: 2691-2696 Zhu ZM; Li GH; Zhang W; Han HX; Wang ZP; Wang J; Wang X 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 PRESSURE  DEPENDENCE  ZN1-XMNXSE  GAP