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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Bound and Resonant States of the Hulthen Potential Investigated by Using the Complex Scaling Method with the Oscillator Basis 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 110304-110304 Feng, JS; Liu, Z; Guo, JY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/12/17 SHIFTED 1/N EXPANSION  OPERATORS  ENERGY   Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO2 bonding 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 769-774 Ma, XB; Liu, WL; Du, XF; Liu, XY; Song, ZT; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 SILICON-ON-INSULATOR  WAFER  BORON  ENERGY   Gettering layer for oxygen accumulation in the initial stage of SIMOX processing 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 8-9, 页码: 1273-1276 Ou, X; Kogler, R; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Gerlach, JW 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 LOW-DOSE SEPARATION  ON-INSULATOR MATERIAL  BURIED OXIDE  IMPLANTED SILICON  ENERGY  REGION  WAFERS   External electric field elect on hydrogenic donor impurity in zinc-blende InGaN quantum dot 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 3017-3020 Jiang, LM; Wang, HL; Wu, HT; Gong, Q; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/11/03 GAN/INGAN/GAN DOUBLE HETEROSTRUCTURES  LOCALIZED EXCITONS  PHOTOLUMINESCENCE  NANOSTRUCTURES  RECOMBINATION  ENERGY  STATES  WELLS   Evidence of d-wave pairing in MTG-YBa2Cu2.99Li0.01Ox crystals determined from the low-temperature specific heat 期刊论文  OAI收割 SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 503-507 Bai, Z; Wang, ZH; Li, PJ; Qiu, L; Zhang, H; Gao, J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 MAGNETIC-FIELD DEPENDENCE  DENSITY-OF-STATES  CUPRATE SUPERCONDUCTORS  MIXED-STATE  ENERGY  NODES  GAP  YBA2CU3O7-DELTA  YBA2CU3O6.95  VORTEX   Effect of Argon ion irradiation on grain orientation in platinum thin films 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2005, 卷号: 483, 期号: 1-2, 页码: 411-415 Jiang, BJ; Jiang, J; Ren, CX; Liu, XH; Wang, X; Feng, T; Zhang, ZX; Song, ZT; Zheng, LP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 BEAM-ASSISTED DEPOSITION  BOMBARDMENT  ENERGY   Hydrogen absorption performance of Ti-V based alloys surface modified by carbon nanotubes 期刊论文  OAI收割 PHYSICS LETTERS A, 2004, 卷号: 333, 期号: 5-6, 页码: 468-472 Yu, XB; Wu, Z; Xia, BJ; Xu, NX 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/12/17 SORPTION CHARACTERISTICS  STORAGE MATERIALS  ACTIVATION  TIMN1.25CR0.25  ADSORPTION  MECHANISM  BEHAVIOR  ENERGY   Hydrogen absorption performance of Ti-V based alloys surface modified by carbon nanotubes 期刊论文  OAI收割 PHYSICS LETTERS A, 2004, 卷号: 333, 期号: 5-6, 页码: 468-472 Yu, XB; Wu, Z; Xia, BJ; Xu, NX 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/12/02 SORPTION CHARACTERISTICS  STORAGE MATERIALS  ACTIVATION  TIMN1.25CR0.25  ADSORPTION  MECHANISM  BEHAVIOR  ENERGY   Low defect density and planar patterned SOI materials by masked SIMOX 期刊论文  OAI收割 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 378, 期号: 5-6, 页码: 470-473 Dong, YM; Wang, X; Wang, X; Chen, M; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 LOW-DOSE SEPARATION  IMPLANTATION  ENERGY  WAFERS   Silicon behavior in GaN grown by radiofrequency plasma molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2001, 卷号: 401, 期号: 1-2, 页码: 279-283 Li, W; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 SI-DOPED GAN  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHOTOLUMINESCENCE SPECTROSCOPY  PHOTO-LUMINESCENCE  N-TYPE  GAAS  FILMS  TRANSITIONS  NITRIDE  ENERGY