机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]
• 2009 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [10]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：42/4  |  提交时间：2011/07/15 LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  TUNING RANGE  NM  EMISSION  SPECTRUM  SPECTROSCOPY   Fast simultaneous measurement of multi-gases using quantum cascade laser photoacoustic spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics b-lasers and optics, 2011, 卷号: 103, 期号: 3, 页码: 743-747 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：36/2  |  提交时间：2011/07/05 SENSOR   Design and characteristics of quantum cascade laser-based CO detection system 期刊论文  OAI收割 sensors and actuators b-chemical, 2009, 卷号: 142, 期号: 1, 页码: 33-38 Li L; Cao; F; Wang YD; Cong ML; Li L; An YP; Song ZY; Guo SX; Liu FQ; Wang LJ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/04/05 CO  QC laser  Optical detection systems  Absorption spectroscopy  Chemical sensors  ABSORPTION-SPECTROSCOPY  GAS-DETECTION  NITRIC-OXIDE  MU-M  SENSOR  OXYGEN   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：98/8  |  提交时间：2010/08/12 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Kong MY; Zhang JP; Wang XL; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 impurities  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE SUBSTRATE  DEFECTS  HETEROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  STRESS   Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InAs/GaAs  MBE  photoluminescence  absorption  OPTICAL-PROPERTIES  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  INGAAS  LASER   Comparative study of the structural properties of nanocrystalline Ge : H plasma deposited onto the cathode and the anode using high hydrogen dilutions 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 1999, 卷号: 346, 期号: 1-2, 页码: 91-95 Poulsen PR; Wang MX; Xu J; Li W; Chen KJ; Wang GH; Feng D 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 chemical vapour deposition  germanium  nanostructures  structural properties  AMORPHOUS-SILICON  GERMANIUM  CRYSTALLINE  DISCHARGE  CELL  POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS