机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 1994 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016 Li H; Zhou K; Pang JB; Shao YD; Wang Z; Zhao YW 收藏  |  浏览/下载：52/10  |  提交时间：2011/07/05 UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE  SELF-DIFFUSION  NATIVE DEFECTS  N-TYPE  CRYSTALS  CATHODOLUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  LUMINESCENCE   Blue Luminescent Properties of Silicon Nanowires Grown by a Solid-Liquid-Solid Method 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057305 Peng YC (Peng Ying-Cai); Fan ZD (Fan Zhi-Dong); Bai ZH (Bai Zhen-Hua); Zhao XW (Zhao Xin-Wei); Lou JZ (Lou Jian-Zhong); Cheng X (Cheng Xu) 收藏  |  浏览/下载：159/35  |  提交时间：2010/05/24 POROUS SILICON  MECHANISM  EMISSION   InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475 Gao FB (Gao Fubao); Chen NF (Chen NuoFu); Liu L (Liu Lei); Zhang XW (Zhang X. W.); Wu JL (Wu Jinliang); Yin ZG (Yin Zhigang) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 crystal structure   Silica and alumina thin films grown by liquid phase deposition 期刊论文  OAI收割 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1725-1728 Sun, J; Hu, LZ; Wang, ZY; Du, GT 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/17 silica  alumina  liquid phase deposition  semiconductors  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  DIOXIDE FILMS  OXIDE-FILMS   Liquid phase epitaxy of Al0.3Ga0.7As islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 38-41 Sun, J; Hu, LZ; Sun, YC; Wang, ZY; Zhang, HZ 收藏  |  浏览/下载：423/56  |  提交时间：2010/03/09 crystal morphology   DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 SEMICONDUCTORS  DEFECTS  VACANCY  SILICON  LEVEL  LPE   FIELD-EFFECT ON THERMAL EMISSION FROM THE 0.40 EV ELECTRON LEVEL IN INGAP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1993, 卷号: 73, 期号: 2, 页码: 771-774 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 LIQUID-PHASE EPITAXY  100 GAAS  TRANSIENT SPECTROSCOPY  OPTICAL-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  SILICON  VACANCY  DEFECTS  TRAPS