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• 期刊论文 [2]

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• 2014 [1]
• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Improvement on InGaN-based light emitting diodes using p-GaN layer grown at low temperature in full N-2 environment 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2014, 卷号: 211, 期号: 5, 页码: 1175 Deng, Z; Jiang, Y; Zuo, P; Fang, YT; Ma, ZG; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/04/14 efficiency droop  GaN light emitting diodes  low temperature  p-GaN layer   Broadening of the energy spectrum of ions accelerated by laser-driven shocks in over-dense slab plasmas 期刊论文  OAI收割 SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INERTIAL FUSION SCIENCES AND APPLICATIONS, PARTS 1-4, 2010, 卷号: 244 Dong, QL; He, MQ; Sheng, ZM; Chen, M; Wang, SJ; Zhang, J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17