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Degradation mechanisms of InGaN/GaN UVA LEDs under swift heavy ion irradiation: role of defects
期刊论文
OAI收割
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 9, 页码: 7
作者:
Wang, Ying-Zhe
;
Zheng, Xue-Feng
;
Lv, Ling
;
Cao, Yan-Rong
;
Wang, Xiao-Hu
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提交时间:2021/12/08
UVA LED
swift heavy ion irradiation
degradation
defect
low frequency noise
CsPb(Br/I)(3) Perovskite Nanocrystals for Hybrid GaN-Based High-Bandwidth White Light-Emitting Diodes
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2021, 卷号: 4, 期号: 8, 页码: 8383-8389
作者:
Ma, Zhanhong
;
Li, Xiaodong
;
Zhang, Chengxi
;
Turyanska, Lyudmila
;
Lin, Shan
;
Xi, Xin
;
Li, Jing
;
Hu, Tiangui
;
Wang, Junfei
;
Patane, Amalia
;
Zhao, Lixia
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提交时间:2022/05/09
Large-Area Monolayer MoS2Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
OAI收割
ACS Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. Yang
;
Z. Wu
;
F. Liao
;
X. Guo
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提交时间:2022/06/13
Plasmon-enabled spectrally narrow ultraviolet luminescence device using Pt nanoparticles covered one microwire-based heterojunction
期刊论文
OAI收割
Optics Express, 2021, 卷号: 29, 期号: 14, 页码: 21783-21794
作者:
K. Ma
;
B. Li
;
X. Zhou
;
M. Jiang
;
Y. Liu and C. Kan
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提交时间:2022/06/13
Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
OAI收割
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. F. Yang
;
Z. Y. Wu
;
F. Y. Liao
;
X. J. Guo
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提交时间:2023/06/14
Stress engineering for reducing the injection current induced blue shift in InGaN-based red light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
CRYSTENGCOMM, 2021, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 2360--2366
作者:
BSRF用户
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提交时间:2022/09/15
Efficient Carrier Recombination in InGaN Pyramidal mu-LEDs Obtained through Selective Area Growth
期刊论文
OAI收割
PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 5
作者:
Jiang, Jie'an
;
Xu, Houqiang
;
Chen, Li
;
Yan, Long
;
Hoo, Jason
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提交时间:2021/12/01
LIGHT-EMITTING-DIODES
GAN NANOWIRES
MODE
NANOROD
LUMINESCENCE
MORPHOLOGY
NONPOLAR
ARRAYS
LASERS
LAYER
The Optical Properties of InGaN/GaN Nanorods Fabricated on (-201) beta-Ga2O3 Substrate for Vertical Light Emitting Diodes
期刊论文
OAI收割
PHOTONICS, 2021, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 42
作者:
Zhao, Jie
;
Li, Weijiang
;
Wang, Lulu
;
Wei, Xuecheng
;
Wang, Junxi
;
Wei, Tongbo
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提交时间:2022/11/03
Improving performance of semipolar (202¯1) light emitting diodes through reduction of threading dislocations by AlGaN/GaN superlattice interlayer
期刊论文
OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2020, 卷号: 536
作者:
Song, Jie
;
Choi, Joowon
;
Han, Jung
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提交时间:2020/03/12
Gallium nitride
Dislocations
Metalorganic chemical vapor deposition
Superlattice
Light emitting diodes
Phosphor-free single chip GaN-based white light emitting diodes with a moderate color rendering index and significantly enhanced communications bandwidth
期刊论文
OAI收割
PHOTONICS RESEARCH, 2020, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 1110-1117
作者:
Rongqiao Wan
;
Xiang Gao
;
Liancheng Wang
;
Shuo Zhang
;
Xiongbin Chen
;
Zhiqiang Liu
;
Xiaoyan Yi
;
Junxi Wang
;
Junhui Li
;
Wenhui Zhu
;
Jinmin Li
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提交时间:2021/05/25