机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2001 [5]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2001     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-quality metamorphic hemt grown on gaas substrates by mbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 210-213 作者:  Zeng, YP;  Cao, X;  Cui, LJ;  Kong, MY;  Pan, L 收藏  |   The keys to get high transconductance of algaas/ingaas/gaas pseudomorphic hemts devices 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754 作者:  Cao, X;  Zeng, YP;  Kong, MY;  Pan, L;  Wang, BQ 收藏  |   The keys to get high transconductance of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs devices 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754 Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP 收藏  |   High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文  OAI收割 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Zeng YP; Cao X; Cui LJ; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP 收藏  |   High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 210-213 Zeng YP; Cao X; Cui LJ; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP 收藏  |