机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2002 [5]

学科主题

• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2002     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structural properties and raman measurement of aln films grown on si (111) by nh3-gsmbe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 3-4, 页码: 229-235 作者:  Luo, MC;  Wang, XL;  Li, JM;  Liu, HX;  Wang, L 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Raman  Transmission electron microscopy  Molecular beam epitaxy  Aluminium nitride   In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 期刊论文  OAI收割 silicon carbide and related materials 2001 pts 1 and 2 proceedings, 2002, 卷号: 389-3, 期号: 0, 页码: 339-342 Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/08/12 3C-SiC  in-situ doping  low-pressure CVD  sapphire substrate  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  COMPETITION EPITAXY   Structural properties and Raman measurement of AlN films grown on Si (111) by NH3-GSMBE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 3-4, 页码: 229-235 Luo MC; Wang XL; Li JM; Liu HX; Wang L; Sun DZ; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  Raman  transmission electron microscopy  molecular beam epitaxy  aluminium nitride  ELECTRON-AFFINITY  GAN  SI(111)   In situ doping of 3c-sic grown on (0001) sapphire substrates by lpcvd 期刊论文  iSwitch采集 Silicon carbide and related materials 2001, pts 1 and 2, proceedings, 2002, 卷号: 389-3, 页码: 339-342 作者:  Sun, GS;  Luo, MC;  Wang, L;  Zhu, SR;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 3c-sic  In-situ doping  Low-pressure cvd  Sapphire substrate   In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001 Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 3C-SiC  in-situ doping  low-pressure CVD  sapphire substrate  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  COMPETITION EPITAXY