机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2013 [3]
• 2009 [1]

学科主题

• 光电子学 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effects of matrix layer composition on the structural and optical properties of self-organized InGaN quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 9, 页码: 093105 Z. C. Li, J. P. Liu, M. X. Feng, K. Zhou, S. M. Zhang, H. Wang, D. Y. Li, L. Q. Zhang, Q. Sun, D. S. Jiang, H. B.Wang, and H. Yang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/04/30 Far infrared response of silicon nanowire arrays 期刊论文  OAI收割 rsc advances, 2013, 卷号: 3, 期号: 13, 页码: 4434-4439 Fobelets, K.; Li, C. B.; Coquillat, D.; Arcade, P.; Teppe, F. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/10/10 High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 4, 页码: 043508, 043508 作者:  M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/04/09 A wide-narrow well design for understanding the efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics b-lasers and optics, 2009, 卷号: 97, 期号: 2, 页码: 465-468 Ding K (Ding, K.); Zeng YP (Zeng, Y. P.); Wei XC (Wei, X. C.); Li ZC (Li, Z. C.); Wang JX (Wang, J. X.); Lu HX (Lu, H. X.); Cong PP (Cong, P. P.); Yi XY (Yi, X. Y.); Wang GH (Wang, G. H.); Li JM (Li, J. M.) 收藏  |  浏览/下载：163/45  |  提交时间：2010/03/08