机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2017 [1]
• 2015 [2]
• 2010 [1]

学科主题

• 半导体材料 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Bias Dependence of the Electrical Spin Injection into GaAs from Co-Fe-B=MgO Injectors with Different MgO Growth Processes 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2017, 卷号: 8, 页码: 054027 作者:  P. Barate;  S. H. Liang;  T. T. Zhang;  J. Frougier;  B. Xu 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/05/30 High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 8383-8388 S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/03/22 Mid-infrared Photoconductive Response in AlGaN/GaN Step Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 14386 X. Rong; X. Q. Wang; G. Chen; X. T. Zheng; P. Wang; F. J. Xu; Z. X. Qin; N. Tang; Y. H. Chen; L. W. Sang; M. Sumiya; W. K. Ge; B. Shen 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/03/18 Microphotoluminescence investigation of InAs quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073111 Ding Y (Ding Y.); Fan WJ (Fan W. J.); Ma BS (Ma B. S.); Xu DW (Xu D. W.); Yoon SF (Yoon S. F.); Liang S (Liang S.); Zhao LJ (Zhao L. J.); Wasiak M (Wasiak M.); Czyszanowski T (Czyszanowski T.); Nakwaski W (Nakwaski W.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/14 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHOTOVOLTAGE SPECTROSCOPY  PHOTOLUMINESCENCE  MODES