机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2017 [1]
• 2016 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体物理 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Probing the semiconductor to semimetal transition in InAs/GaSb double quantum wells by magneto-infrared spectroscopy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: 045116 作者:  Y. Jiang;  S. Thapa;  G. D. Sanders;  C. J. Stanton;  Q. Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/06/01 Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 31189 J. B. Li; X. G. Wu; G. W. Wang; Y. Q. Xu; Z. C. Niu; X. H. Zhang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/16 Photoluminescence from the nitrogen-perturbed above-bandgap states in dilute GaAs1-xNx alloys: A microphotoluminescence study 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2006, 卷号: 73, 期号: 20, 页码: art.no.205205 Tan PH (Tan P. H.); Luo XD (Luo X. D.); Xu ZY (Xu Z. Y.); Zhang Y (Zhang Y.); Mascarenhas A (Mascarenhas A.); Xin HP (Xin H. P.); Tu CW (Tu C. W.); Ge WK (Ge W. K.) 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/04/11 HOT PHOTOLUMINESCENCE  GALLIUM-ARSENIDE  GAAS  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SCATTERING