中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2013 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
学科主题
光电子学 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Performance Enhancement of GaN-Based Laser Diodes With Prestrained Growth
期刊论文
OAI收割
ieee photonics technology letters, IEEE Photonics Technology Letters, 2013, 2013, 卷号: 25, 25, 期号: 24, 页码: 2401-2404, 2401-2404
作者:
Feng, Mei-Xin
;
Liu, Jian-Ping
;
Zhang, Shu-Ming
;
Jiang, De-Sheng
;
Li, Zeng-Cheng
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2014/04/09
A short carrier lifetime semiconductor optical amplifier with n-type modulation-doped multiple quantum well structure
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 283-286
Zhang RY (Zhang Ruiying)
;
Zhou F (Zhou Fan)
;
Bian J (Bian Jing)
;
Zhao LJ (Zhao Lingjuan)
;
Jian SS (Jian Shuisheng)
;
Yu SY (Yu Siyuan)
;
Wang W (Wang Wei)
收藏
  |  
浏览/下载:62/0
  |  
提交时间:2010/03/29
LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR
A 1.5 mu m n-type InGaAsP/InGaAsP modulation-doped multiple quantum well DFB laser by MOCVD
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 306-310
Zhang RY
;
Wang W
;
Zhou F
;
Wang BJ
;
Wang LF
;
Bian J
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Jian SS
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/04/11
LINEWIDTH ENHANCEMENT FACTOR
THRESHOLD CURRENT-DENSITY
DIFFERENTIAL GAIN
MQW LASERS
Low threshold current density 1.5 mu m strained-MQW laser by n-type modulation-doping
期刊论文
OAI收割
pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1663-1667
Zhang RY
;
Wang W
;
Zhou F
;
Bian J
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Jian SS
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2010/03/17
1.5 mu m InGaAsP/InGaAsP