机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• iSwitch采集 [5]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [4]
• 2009 [1]
• 2007 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101 Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/02/21 Strain-induced anodization of sige/si multiple layers to form high density sige/si heterogeneous nanorods 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901 作者:  Zhou, Bi;  Pan, S. W.;  Chen, Rui;  Chen, S. Y.;  Li, Cheng 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain-induced  Electrochemical anodization  Silicon germanium  Heterogeneous nanostructures   Two opposite gradients of hole density in as-grown and annealed (ga,mn)as layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of magnetism and magnetic materials, 2007, 卷号: 308, 期号: 2, 页码: 313-317 作者:  Deng, J. J.;  Zhao, J. H.;  Tan, P. H.;  Bi, J. F.;  Gan, H. D. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Magnetic semiconductors  Electrical and magnetic properties (related to treatment conditions)  Raman spectra  Molecular-beam epitaxy