机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2017 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901 作者:  X. L. Zeng;  J. L. Yu;  S. Y. Cheng;  Y. F. Lai, Y. H. Chen;  W. Huang 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/23 Strain-induced anodization of sige/si multiple layers to form high density sige/si heterogeneous nanorods 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901 作者:  Zhou, Bi;  Pan, S. W.;  Chen, Rui;  Chen, S. Y.;  Li, Cheng 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Strain-induced  Electrochemical anodization  Silicon germanium  Heterogeneous nanostructures   1.58 mu m ingaas quantum well laser on gaas 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 22, 页码: 3 作者:  Tangring, I.;  Ni, H. Q.;  Wu, B. P.;  Wu, D. H.;  Xiong, Y. H. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12