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• 半导体研究所 [15]

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内容类型

• 期刊论文 [15]

发表日期

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• 2011 [7]
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学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 High-performance mid-wavelength InAs avalanche photodiode using AlAs0.13Sb0.87 as the multiplication layer 期刊论文  OAI收割 PHOTONICS RESEARCH, 2020, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 755-759 作者:  Jianliang Huang;   Chengcheng Zhao;   Biying Nie;   Shiyu Xie;   Dominic C. M. Kwan;   Xiao Meng;   Yanhua Zhang;   Diana L. Huffaker;   Wenquan Ma   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/06/22 Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Inalgaas/inp cylinder microlaser connected with two waveguides 期刊论文  iSwitch采集 Electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 16, 页码: 929-930 作者:  Lin, J. -D.;  Huang, Y. -Z.;  Yao, Q. -F.;  Lv, X. -M.;  Yang, Y. -D. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Single transverse whispering-gallery mode algainas/inp hexagonal resonator microlasers 期刊论文  iSwitch采集 Ieee photonics journal, 2011, 卷号: 3, 期号: 4, 页码: 756-764 作者:  Lin, J. D.;  Huang, Y. Z.;  Yang, Y. D.;  Yao, Q. F.;  Lv, X. M. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductor lasers   The influence of the ingan back-barrier on the properties of al0.3ga0.7n/aln/gan/ingan/gan structure 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Bi, Y.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Peng, E. C. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432 作者:  Jiang, L. J.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, Z. G.;  Yang, C. B. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Ferromagnetic  Implantation  Annealing   Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101 Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/02/21 Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- sio2/si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: 3 作者:  Zheng, X. H.;  Huang, A. P.;  Xiao, Z. S.;  Yang, Z. C.;  Wang, M. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908 Zheng XH (Zheng X. H.); Huang AP (Huang A. P.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Yang ZC (Yang Z. C.); Wang M (Wang M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang WW (Wang W. W.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/14 OXYGEN  GATE  DIFFUSION  FILMS