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• 半导体研究所 [125]

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• iSwitch采集 [125]

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• 期刊论文 [125]

发表日期

• 2011 [21]
• 2010 [26]
• 2009 [18]
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浏览/检索结果: 共125条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Optically induced current oscillation in a modulation-doped field-effect transistor embedded with inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 44, 期号: 3, 页码: 686-689 作者:  Li, Y. Q.;  Wang, X. D.;  Xu, X. N.;  Liu, W.;  Yang, F. H. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Modulation-doped  Field-effect transistors  Output characteristics   High power passively mode-locked nd:yvo4 laser using graphene oxide as a saturable absorber 期刊论文  iSwitch采集 Laser physics, 2011, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 2072-2075 作者:  Zhang, L.;  Wang, Y. G.;  Yu, H. J.;  Zhang, S. B.;  Hou, W. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Controllable growth of highly ordered zno nanorod arrays via inverted self-assembled monolayer template 期刊论文  iSwitch采集 Acs applied materials & interfaces, 2011, 卷号: 3, 期号: 11, 页码: 4388-4395 作者:  Dong, J. J.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Zhang, S. G.;  Wang, J. X. 收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2019/05/12 Zinc oxide nanorods  Hydrothermal synthesis  Inverted self-assembled monolayer  Reactive ion etching  Epitaxial growth   Magnetic properties of fe0.4mn0.6/co2feal bilayers grown on gaas by molecular-beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 9, 页码: 4 作者:  Meng, K. K.;  Nie, S. H.;  Yu, X. Z.;  Wang, S. L.;  Yan, W. S. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Localized surface plasmon-enhanced electroluminescence from zno-based heterojunction light-emitting diodes 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 18, 页码: 3 作者:  Zhang, S. G.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Wang, J. X.;  Dong, J. J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Low temperature characteristics of algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 4 作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Qiang, L. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Qiao, Y. B.;  Feng, S. W.;  Xiong, C.;  Wang, X. W.;  Ma, X. Y. 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Carrier density  Cathodoluminescence  Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Optical hole burning  Optical microscopy  Quantum well lasers  Semiconductor epitaxial layers  X-ray diffraction   The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5 作者:   收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant-cavity blue light-emitting diodes fabricated by two-step substrate transfer technique 期刊论文  iSwitch采集 Electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 986-u69 作者:  Hu, X. -L.;  Zhang, J. -Y.;  Liu, W. -J.;  Chen, M.;  Zhang, B. -P. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Anomalous linear photogalvanic effect observed in a gan-based two-dimensional electron gas 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 7, 页码: 5 作者:  Peng, X. Y.;  Zhang, Q.;  Shen, B.;  Shi, J. R.;  Yin, C. M. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12