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• 半导体研究所 [31]

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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Metalorganic chemical vapor deposition growth of inas/gasb type ii superlattices with controllable asxsb1-xinterfaces 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1 作者:  Li,Li-Gong;  Liu,Shu-Man;  Luo,Shuai;  Yang,Tao;  Wang,Li-Jun 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 The research progress of quantum dot lasers and photodetectors in china 期刊论文  iSwitch采集 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2011, 卷号: 11, 期号: 11, 页码: 9345-9356 作者:  Xu, Peng-Fei;  Ji, Hai-Ming;  Yang, Tao;  Xu, Bo;  Ma, Wen-Quan 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dot  Lasers  Photodetectors   Effect of interface bond type on the structure of inas/gasb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Li Li-Gong;  Liu Shu-Man;  Luo Shuai;  Yang Tao;  Wang Li-Jun 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Temporal parameter optimization in four-dimensional flash trajectory imaging 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Wang Xin-Wei;  Zhou Yan;  Fan Song-Tao;  Liu Yu-Liang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Si nanopillar arrays with nanocrystals produced by template-induced growth at room temperature 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 6 作者:  Bai An-Qi;  Zheng Jun;  Tao Ye-Liao;  Zuo Yu-Hua;  Xue Chun-Lai 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Silicon nanopillar arrays  Porous anodic alumina  Nanocrystal  Room temperature   Localized surface plasmon-enhanced electroluminescence from zno-based heterojunction light-emitting diodes 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 18, 页码: 3 作者:  Zhang, S. G.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Wang, J. X.;  Dong, J. J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7 作者:  Li, Tianfeng;  Chen, Yonghai;  Lei, Wen;  Zhou, Xiaolong;  Luo, Shuai 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of antimony irradiation on inas/sb:gaas quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 5 作者:  Yang, Xiaoguang;  Yang, Tao;  Wang, Kefan;  Ji, Haiming;  Ni, Haiqiao 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Numerical study of strained ingaas quantum well lasers emitting at 2.33 mu m using the eight-band model 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 7 作者:  Wang Ming;  Gu Yong-Xian;  Ji Hai-Ming;  Yang Tao;  Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/05/12 Band structure  Eight-band k.p theory  Strained quantum well  Peak emission wavelength   Temperature compensation for threshold current and slope efficiency of 1.3 mu m inas/gaas quantum-dot lasers by facet coating design 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 3 作者:  Xu Peng-Fei;  Yang Tao;  Ji Hai-Ming;  Cao Yu-Lian;  Gu Yong-Xian 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12