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• 半导体研究所 [49]

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• 期刊论文 [49]

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浏览/检索结果: 共49条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Resonant-cavity blue light-emitting diodes fabricated by two-step substrate transfer technique 期刊论文  iSwitch采集 Electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 986-u69 作者:  Hu, X. -L.;  Zhang, J. -Y.;  Liu, W. -J.;  Chen, M.;  Zhang, B. -P. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal carrier processes in bimodal-sized quantum dots with different lateral coupling strength 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Li, T. F.;  Ye, X. L.;  Xu, Bo 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Abnormal temperature dependent photoluminescence of excited states of inas/gaas quantum dots: carrier exchange between excited states and ground states 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 11, 页码: 5 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Ye, X. L.;  Xu, Bo;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of ultra-low al alloying in(al) as layer on the formation and evolution of inas/gaas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 6 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Li, T. F.;  Zhou, G. Y.;  Zhang, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of inas/gaas quantum dot: simulation and experiment 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: 7 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Zhang, H. Y.;  Zhou, G. Y.;  Li, T. F. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Observation of the photoinduced anomalous hall effect in gan-based heterostructures 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 3 作者:  Yin, C. M. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 1.3-mu m in(ga)as quantum-dot vcsels fabricated by dielectric-free approach with surface-relief process 期刊论文  iSwitch采集 Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93 作者:  Xu, D. W.;  Yoon, S. F.;  Ding, Y.;  Tong, C. Z.;  Fan, W. J. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Dielectric-free approach  Quantum dot (qd)  Surface-relief technique  Vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels)   The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar znmgo by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Shi, K.;  Yang, A. L.;  Wang, J.;  Song, H. P.;  Xu, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting ii-vi materials   Origin of ferromagnetism in self-assembled ga1-xmnxas quantum dots grown on si 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Wang, S. L.;  Chen, L.;  Meng, K. K.;  Xu, P. F.;  Meng, H. J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of inas/gaas quantum dot with high and low areal density 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: 6 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Jia, C. H.;  Ye, X. L.;  Xu, Bo 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12