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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/09/29 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/09/28 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/08/30 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2016/09/29 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2014/11/24 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/09/28 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/12/25 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2014/10/24 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2014/12/25 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2016/09/28