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上海微系统与信息技术... [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [2]
学科主题
Physics [2]
Applied [1]
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共2条,第1-2条
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学科主题:Physics
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101
Zhang,B
;
Yu,W
;
Zhao,QT
;
Mussler,G
;
Jin,L
;
Buca,D
;
Hollander,B
;
Hartmann,JM
;
Zhang,M
;
Wang,X
;
Mantl,S
收藏
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提交时间:2012/04/10
AMER INST PHYSICS
Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101
Zhang, B
;
Yu, W
;
Zhao, QT
;
Mussler, G
;
Jin, L
;
Buca, D
;
Hollander, B
;
Hartmann, JM
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
;
Mantl, S
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提交时间:2013/05/10
Physics
Applied