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• 半导体研究所 [4]

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• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2021 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2021     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electrically injected double-taper semiconductor laser based on parity-time symmetry 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS LETTERS, 2021, 页码: 1-2 作者:  Wang, Xueyou;   Li, Jing;   Fu, Ting;   Chen, Jingxuan;   Dai, Yingqiu;   Han, Renbo;   Wang, Yufei;   Zheng, Wanhua   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2022/03/23 High quality strain-balanced InAs/InAsSb type-II superlattices grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2021, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 595-604 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/05/19 Photoexcited carrier dynamics of thin film Cd3As2 grown on a GaAs(111)B substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2021, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: 94302 作者:  Zhai, Guihao;   Ma, Jialin;   Wang, Hailong;   Ye, Jialiang;   Li, Ting;   Li, Ying;   Liang, Gaoming;   Zhao, Jianhua;   Wu, Xiaoguang;   Zhang, Xinhui   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2022/05/09 Growth of high quality InSb thin films on GaAs substrates by molecular beam epitaxy method with AlInSb/GaSb as compound buffer layers* 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2021, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 28504 作者:  Li, Yong;   Li, Xiao-Ming;   Hao, Rui-Ting;   Guo, Jie;   Zhuang, Yu;   Cui, Su-Ning;   Wei, Guo-Shuai;   Ma, Xiao-Le;   Wang, Guo-Wei;   Xu, Ying-Qiang;   Niu, Zhi-Chuan;   Wang, Yao   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2022/09/29