机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2004 [5]
• 2003 [2]
• 2002 [1]

学科主题

• 半导体材料 [8]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 336-337 作者:  尹志岗;  杨少延 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 期刊论文  OAI收割 真空科学与技术学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 154-156 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：138/15  |  提交时间：2010/11/23 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661 作者:  尹志岗;  杨少延 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究 期刊论文  OAI收割 真空科学与技术学报, 2003, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 350-352 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 期刊论文  OAI收割 科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 1299-1301 张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23