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机构
半导体研究所 [10]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
期刊论文 [8]
专利 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2005 [1]
2004 [6]
2003 [2]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [8]
材料物理与化学 [1]
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浏览/检索结果:
共10条,第1-10条
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限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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95
100
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
宋书林
;
陈诺夫
;
周剑平
;
杨少延
;
刘志凯
;
柴春林
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2009/06/11
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261
作者:
杨少延
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
离子束外延制备GaAs:Gd薄膜
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 336-337
作者:
尹志岗
;
杨少延
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究
期刊论文
OAI收割
真空科学与技术学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 154-156
作者:
杨少延
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浏览/下载:138/15
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提交时间:2010/11/23
离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
作者:
杨少延
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
作者:
尹志岗
;
杨少延
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
离子注入法制备磁性半导体及其性质研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
宋书林
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浏览/下载:40/1
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提交时间:2009/04/13
离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究
期刊论文
OAI收割
真空科学与技术学报, 2003, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 350-352
作者:
杨少延
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/23
Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
作者:
杨少延
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布
期刊论文
OAI收割
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 1299-1301
张秀兰
;
张富强
;
宋书林
;
陈诺夫
;
王占国
;
胡文瑞
;
林兰英
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23