机构

• 半导体研究所 [10]

采集方式

• OAI收割 [10]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 专利 [1]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2005 [1]
• 2004 [6]
• 2003 [2]
• 2002 [1]

学科主题

• 半导体材料 [8]
• 材料物理与化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2009/06/11 低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 期刊论文  OAI收割 功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 336-337 作者:  尹志岗;  杨少延 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 期刊论文  OAI收割 真空科学与技术学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 154-156 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：138/15  |  提交时间：2010/11/23 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661 作者:  尹志岗;  杨少延 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 离子注入法制备磁性半导体及其性质研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004 宋书林 收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2009/04/13 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究 期刊论文  OAI收割 真空科学与技术学报, 2003, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 350-352 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究 期刊论文  OAI收割 物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 作者:  杨少延 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 期刊论文  OAI收割 科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 1299-1301 张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23