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机构
微电子研究所 [6]
高能物理研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2021 [2]
2017 [1]
2016 [1]
2015 [1]
2013 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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内容类型:专利
条数/页:
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一种流动传热与自动控制研究平台
专利
OAI收割
专利号: CN213690627U, 申请日期: 2021-01-01, 公开日期: 2021
作者:
李梅
;
常正则
;
葛锐
;
朱柯宇
;
韩瑞雄
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提交时间:2023/06/02
一种流动传热与自动控制研究平台及方法
专利
OAI收割
专利号: CN112487644, 申请日期: 2021-01-01, 公开日期: 2021
作者:
李梅
;
常正则
;
葛锐
;
朱柯宇
;
韩瑞雄
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2023/06/02
GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410005400.1, 申请日期: 2017-03-22, 公开日期: 2014-04-16
作者:
郑英奎
;
赵妙
;
欧阳思华
;
李艳奎
;
刘新宇
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提交时间:2018/02/07
一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
专利
OAI收割
专利号: CN201410005195.9, 申请日期: 2016-06-01, 公开日期: 2014-04-09
作者:
欧阳思华
;
赵妙
;
刘新宇
;
魏珂
;
孔欣
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提交时间:2017/05/27
确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法
专利
OAI收割
专利号: CN201110163890.4, 申请日期: 2015-06-10, 公开日期: 2012-12-19
作者:
刘新宇
;
郑英奎
;
欧阳思华
;
李艳奎
;
赵妙
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提交时间:2016/09/12
一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法
专利
OAI收割
专利号: CN201010233999.6, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-02-01
作者:
欧阳思华
;
赵妙
;
王鑫华
;
刘新宇
;
郑英奎
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提交时间:2016/10/12
一种测量GaN基器件热可靠性的方法
专利
OAI收割
专利号: CN201110236600.4, 公开日期: 2013-03-06
作者:
李艳奎
;
刘新宇
;
赵妙
;
郑英奎
;
陈晓娟
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提交时间:2012/11/20
提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法
专利
OAI收割
专利号: CN200910303939.4, 公开日期: 2010-05-12
作者:
刘新宇
;
王鑫华
;
赵妙
;
郑英奎
;
魏珂
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提交时间:2010/11/26