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• 半导体研究所 [47]

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发表日期

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• 光电子学 [27]
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浏览/检索结果: 共47条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Performance and electron radiation damage of InAs/GaSb long-wave infrared detectors based on P pi MN design 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 7, 页码: 75104 作者:  Wei, Guoshuai;   Hao, Ruiting;   Li, Xiaoming;   Wang, Yunpeng;   Fang, Shuiliu;   Guo, Jie;   Ma, Xiaole;   Ren, Yang;   Li, Junbin;   Kong, JinCheng;   Wang, Guowei;   Xu, Yingqiang;   Wu, Donghai;   Niu, Zhichuan   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/04/28 Polarization-independent tunable optical filter with variable bandwidth based on silicon-on-insulator waveguides 期刊论文  OAI收割 NANOPHOTONICS, 2018, 卷号: 7, 期号: 8, 页码: 1469-1477 作者:  Haoyan Wang;   Jincheng Dai;   Hao Jia;   Sizhu Shao;   Xin Fu;   Lei Zhang;   Lin Yang   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19 Performance enhancement in uniaxially tensile stressed GeSn n-channel fin tunneling field-effect transistor: Impact of stress direction 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 04CD07 作者:  Hongjuan Wang;  Genquan Han;  Xiangwei Jiang;  Yan Liu;  Chunfu Zhang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/06/15 Relaxed germanium-tin P-channel tunneling field-effect transistors fabricated on Si: impacts of Sn composition and uniaxial tensile strain 期刊论文  OAI收割 aip advances, AIP ADVANCES, 2015, 2015, 卷号: 5, 5, 页码: 057145, 057145 作者:  Genquan Han;  Yibo Wang;  Yan Liu;  Hongjuan Wang;  Mingshan Liu   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/03/22 SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制 期刊论文  OAI收割 光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1609-1613 周志文; 贺敬凯; 王瑞春; 李成; 余金中 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2011/08/16 光通信C波段硅基导模共振窄带滤波器的模拟 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2009, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 663-668 作者:  左玉华;  张岭梓;  成步文 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/23 Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文  OAI收割 材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 张建国; 王晓欣; 丁武昌; 成步文; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：582/197  |  提交时间：2009/06/11 硅基稀土掺杂电致发光器件 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 张建国; 王晓欣; 成步文; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：210/91  |  提交时间：2009/06/11 硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 张建国; 王晓欣; 成步文; 余金中; 王启明 收藏  |  浏览/下载：324/117  |  提交时间：2009/06/11