机构

• 微电子研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 专利 [7]
• 期刊论文 [3]
• 成果 [1]

发表日期

• 2018 [1]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 微纳电子器件及集成研究群体 成果  OAI收割 2018 主要完成人:  谢常青;  许晓欣;  商立伟;  龙世兵;  刘明   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/24 纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 6,70-74,90 作者:  管伟华;  胡媛   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/06/01 纳米晶  保持特性  高介电常数隧穿介质  金属纳米晶  浮栅存储器   基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 5，50-54 作者:  涂德钰;  姬濯宇;  商立伟;  刘明;  王丛舜   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/21 有机电子学  双稳态开关  交叉存储器   纳米晶非挥发性存储器研究进展 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2007, 卷号: 44, 期号: 5, 页码: 6,225_230 作者:  管伟华;  刘琦;  李志刚;  龙世兵;  刘明   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 纳米晶  非挥发性存储器  分立电荷存储  纳米晶存储器   一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法 专利  OAI收割 专利号: CN200710117613.3, 公开日期: 2008-12-24 作者:  龙世兵   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 一种纳米晶浮栅结构的非挥发性存储单元及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN200710099545.2, 公开日期: 2008-11-26 作者:  管伟华;  刘琦;  胡媛;  刘明;  龙世兵   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN200710099544.8, 公开日期: 2008-11-26 作者:  管伟华;  胡媛;  刘明;  龙世兵;  杨清华   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 一种金属纳米晶浮栅非挥发性存储器及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN200710178778.1, 公开日期: 2009-06-10 作者:  王永;  龙世兵;  刘明;  贾锐;  陈宝钦   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/26 双层隧穿介质结构的纳米晶浮栅非易失存储器及制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN200710122479.6, 公开日期: 2009-04-01 作者:  刘明;  管伟华;  杨清华;  龙世兵;  李志刚   |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26 多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN200710121370.0, 公开日期: 2009-03-11 作者:  胡媛;  刘明;  龙世兵;  杨清华;  管伟华   |  收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2010/11/26