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• 半导体研究所 [15]

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发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [15]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901 作者:  X. L. Zeng;  J. L. Yu;  S. Y. Cheng;  Y. F. Lai, Y. H. Chen;  W. Huang 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/23 Reversible transition between coherently strained BiFeO3 and the metastable pseudotetragonal phase on (LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7 (001) 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 121, 页码: 054102 作者:  Z. Fu;  Z. G. Yin;  X. W. Zhang;  N. F. Chen;  Y. J. Zhao 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/05/30 Mid-infrared Photoconductive Response in AlGaN/GaN Step Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 14386 X. Rong; X. Q. Wang; G. Chen; X. T. Zheng; P. Wang; F. J. Xu; Z. X. Qin; N. Tang; Y. H. Chen; L. W. Sang; M. Sumiya; W. K. Ge; B. Shen 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/03/18 Photoluminescence properties of porous InP filled with ferroelectric polymers 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2013, 卷号: 111, 期号: 3, 页码: 695-699 Jia, C. H.; Chen, Y. H.; Jiang, Y. C.; Liu, F. Q.; Qu, S. C.; Zhang, W. F.; Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/08/27 Hybrid InGaAsP-Si Evanescent Laser by Selective-Area Metal-Bonding Method 期刊论文  OAI收割 photonics technology letters, 2013, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1180 - 1183 Yuan, L. ,Tao, L.; Yu, H.; Chen, W.; Lu, D.; Li, Y.; Ran, G.; Pan, J. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/03/19 Polarization of the edge emission from Ag/InGaAsP Schottky plasmonic diode 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 6, 页码: 061112 Wang, C.; Qu, H. J.; Chen, W. X.; Ran, G. Z.; Yu, H. Y.; Niu, B.; Pan, J. Q.; Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/22 Anomalous circular photogalvanic effect of the spin-polarized two-dimensional electron gas in Mg0.2Zn0.8O/ZnO heterostructures at room temperature 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192405 - 192405-4 J. X. Duan, N. Tang, J. D. Ye, F. H. Mei, K. L. Teo, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/02/12 Effect of polarization on intersubband transition in AlGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192109 - 192109-5 G. Chen, Z. L. Li, X. Q. Wang, C. C. Huang, X. Rong, L. W. Sang, F. J. Xu, N. Tang, Z. X. Qin, M. Sumiya, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/02/12 Reduction of Ordering Temperature of Self-Assembled FePt Nanoparticles by Addition of Au and Ag 期刊论文  OAI收割 journal of nanoscience and nanotechnology, 2011, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 10548-10552 Gao Y (Gao Y.); Zhang XW (Zhang X. W.); Qu S (Qu S.); You JB (You J. B.); Yin ZG (Yin Z. G.); Chen NF (Chen N. F.) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/02/23 Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101 Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/02/21