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机构
西安光学精密机械研究... [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
专利 [1]
发表日期
2001 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
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限定条件
内容类型:专利
条数/页:
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Method for forming a low-defect epitaxial layer in the fabrication of semiconductor devices
专利
OAI收割
专利号: US6306675, 申请日期: 2001-10-23, 公开日期: 2001-10-23
作者:
TSONG, IGNATIUS S. T.
;
SMITH, DAVID J.
;
TORRES, VICTOR M.
;
EDWARDS, JR., JOHN L.
;
DOAK, R. BRUCE
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提交时间:2019/12/24