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• 西安光学精密机械研究... [2]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 专利 [2]

发表日期

• 2005 [1]
• 2001 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low temperature epitaxial growth of quaternary wide bandgap semiconductors 专利  OAI收割 专利号: US6911084, 申请日期: 2005-06-28, 公开日期: 2005-06-28 作者:  KOUVETAKIS, JOHN;  TSONG, IGNATIUS S. T.;  ROUCKA, RADEK;  TOLLE, JOHN   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for forming a low-defect epitaxial layer in the fabrication of semiconductor devices 专利  OAI收割 专利号: US6306675, 申请日期: 2001-10-23, 公开日期: 2001-10-23 作者:  TSONG, IGNATIUS S. T.;  SMITH, DAVID J.;  TORRES, VICTOR M.;  EDWARDS, JR., JOHN L.;  DOAK, R. BRUCE   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24