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Mode-locked semiconductor lasers with quantum-confined active region 专利  OAI收割
专利号: US20060222024A1, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05
作者:  
GRAY, ALLEN L.;  HUANG, HUA;  LI, HUA;  VARANGIS, PETROS M.;  ZHANG, LEI
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Method of improving laser yield for target wavelengths in epitaxial InGaAsP lasers based upon the thermal conductivity of the InP substrate 专利  OAI收割
专利号: US6159758, 申请日期: 2000-12-12, 公开日期: 2000-12-12
作者:  
EBERT, CHRIS W.;  GRAY, MARY L.;  GRIM-BOGDAN, KAREN A.;  SEILER, JOSEPH BRIAN;  TZAFARAS, NIKOLAOS
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/26