机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2000 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of gasb/insb/gasb under microgravity and terrestrial conditions 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50 作者:  Hayakawa, Y;  Okano, Y;  Hirata, A;  Imaishi, N;  Kumagiri, Y 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Microgravity  Chinese recoverable satellite  Gasb  Inxga1-xsb  Dissolution  Recrystallization  Orientation   Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50 Hayakawa Y; Okano Y; Hirata A; Imaishi N; Kumagiri Y; Zhong X; Xie X; Yuan B; Wu F; Liu H; Yamaguchi T; Kumagawa M 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 microgravity  Chinese recoverable satellite  GaSb  InxGa1-xSb  dissolution  recrystallization  orientation  FLOATING-ZONE GROWTH  INXGA1-XSB CRYSTALS  GASB  MELT  INSB  DIFFUSION  SILICON  CONVECTION  STRIATION