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• 2019 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in gan epitaxial growth 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3 作者:  Hu,Wei;  Die,Junhui;  Wang,Caiwei;  Yan,Shen;  Hu,Xiaotao 收藏  |  浏览/下载：144/0  |  提交时间：2019/05/09 Gallium nitride  Defect preferential passivation  In situ sinx  Dislocation reduction  Prevention effect