机构

• 微电子研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 外文期刊 [5]

发表日期

• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 2001 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊  OAI收割 2006 作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26 Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction 外文期刊  OAI收割 2006 作者:  Liu, HH;  Duan, XF;  Qi, XY;  Xu, QX;  Li, HO   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26 Mobility Enhancement  Layer Superlattices  Elastic Relaxation  Specimens   Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates 外文期刊  OAI收割 2005 作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Ran, JX   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Surface Passivation   Characterization of 1.9-and 1.4-nm ultrathin gate oxynitride by oxidation of nitrogen-implanted silicon substrate 外文期刊  OAI收割 2004 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Han, ZS;  Lin, G;  Liu, M   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 Remote Plasma Nitridation  Oxide  Growth  No   The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊  OAI收割 2001 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L;  Ji, HH   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26 p+-polysilicon Gate  Ge Preamorphization  Thin-films  Oxides  Transformation  Suppression  Resistance  Extension  Salicide  Mosfet