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• 半导体研究所 [6]

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• 期刊论文 [6]

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学科主题

• 半导体材料 [6]
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• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Tuning exciton energy and fine-structure splitting in single InAs quantum dots by applying uniaxial stress 期刊论文  OAI收割 aip advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 045204 Dan Su; Xiuming Dou; Xuefei Wu; Yongping Liao; Pengyu Zhou; Kun Ding; Haiqiao Ni; Zhichuan Niu; Haijun Zhu; Desheng Jiang; Baoquan Sun 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/16 Observation of interface dependent spin polarized photocurrents in InAs/GaSb superlattice 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2015, 卷号: 106, 页码: 192402 Yuan Li; Yu Liu; Laipan Zhu; Xudong Qin; Qing Wu; Wei Huang; Zhichuan Niu; Wei Xiang; Hongyue Hao; Yonghai Chen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/03/23 Self-assembly of single “square”quantum ring in gold-free GaAs nanowires 期刊论文  OAI收割 Nanoscale, Nanoscale, 2014, 2014, 卷号: 6, 6, 期号: 6, 页码: 3190-3196, 3190-3196 作者:  Guowei Zha, Xiangjun Shang, Dan Su, Ying Yu, Bin Wei, Li Wang, Mifeng Li, Lijuan Wang,Jianxing Xu, Haiqiao Ni, Yuan Ji, Baoquan Sun and Zhichuan Niu   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2014/03/26 GaAs nanowires  quantum ring  photoluminescence  epitaxy  Gaas Nanowires  Quantum Ring  Photoluminescence  Epitaxy   Strain-driven synthesis of self-catalyzed branched GaAs nanowires 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 2013, 卷号: 102, 102, 期号: 16, 页码: 163115, 163115 作者:  Guowei Zha, Mifeng Li, Ying Yu, Lijuan Wang, Jianxing Xu, Xiangjun Shang, Haiqiao Ni and Zhichuan Niu   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/06/13 branched nanowires  self-catalyzed  gallium-droplets (GDs) seeds  epitaxy  MBE  Branched Nanowires  Self-catalyzed  Gallium-droplets (Gds) Seeds  Epitaxy  Mbe   High-temperature (T = 80 °c) operation of a 2 μm InGaSb - AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 4, 页码: 044006 Zhang, Yu; Wang, Yongbin; Xu, Yingqiang; Xu, Yun; Niu, Zhichuan; Song, Guofeng 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/04/19 Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文  OAI收割 thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230 作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Deng SK (Deng Shukang);  Shen LX (Shen Lanxian);  Yang PZ (Yang Peizhi);  Tu JL (Tu Jielei)   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium Arsenide  Gallium Antimonide  Gallium Antimonide/aluminum Antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  Vapor-phase Epitaxy  Surface-morphology  Growth  Superlattices  Temperature  Relaxation  Detectors  Gaas(001)  Mocvd  Films  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS