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机构
西安光学精密机械研究... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
专利 [3]
发表日期
2003 [1]
2002 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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内容类型:专利
条数/页:
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Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD)
专利
OAI收割
专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11
作者:
CHUA, SOO JIN
;
LI, PENG
;
HAO, MAOSHENG
;
ZHANG, JI
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提交时间:2019/12/24
Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
专利
OAI收割
专利号: US6480389, 申请日期: 2002-11-12, 公开日期: 2002-11-12
作者:
SHIE, JIN-SHOWN
;
YEN, CHIH-YUAN
;
HUNG, CHIEN-CHEN
;
PENG, MEI-HSUEH
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提交时间:2019/12/24
GaN single-crystal substrate, nitride type semiconductor epitaxial substrate, nitride type semiconductor device, and methods of making the same
专利
OAI收割
专利号: US20030209185A1, 公开日期: 2003-11-13
作者:
UENO, MASAKI
;
TAKASUKA, EIRYO
;
CHUA, SOO-JIN
;
CHEN, PENG
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提交时间:2019/12/26