中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2016 [1]
2014 [1]
2010 [1]
2007 [2]
学科主题
半导体物理 [5]
筛选
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Origin of the Distinct Diffusion Behaviors of Cu and Ag in Covalent and Ionic Semiconductors
期刊论文
OAI收割
physical review letters, 2016, 卷号: 117, 期号: 16, 页码: 165901
Hui-Xiong Deng
;
Jun-Wei Luo
;
Shu-Shen Li
;
Su-Huai Wei
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2017/03/16
Novel and Enhanced Optoelectronic Performances of Multilayer MoS2-WS2 Heterostructure Transistors
期刊论文
OAI收割
advanced functional materials, ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2014, 2014, 卷号: 24, 24, 期号: 44, 页码: 7025-7031, 7025-7031
作者:
Huo, Nengjie
;
Kang, Jun
;
Wei, Zhongming
;
Li, Shu-Shen
;
Li, Jingbo
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2015/03/20
Origin of insulating behavior of the p-type LaAlO3/SrTiO3 interface: Polarization-induced asymmetric distribution of oxygen vacancies
期刊论文
OAI收割
physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125412, Art. No. 125412
作者:
Zhang LX (Zhang Lixin)
;
Zhou XF (Zhou Xiang-Feng)
;
Wang HT (Wang Hui-Tian)
;
Xu JJ (Xu Jing-Jun)
;
Li JB (Li Jingbo)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/10/11
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
Initio Molecular-dynamics
Electron Gases
Heterostructures
Transition
ELECTRON GASES
HETEROSTRUCTURES
TRANSITION
Structural, photoluminescence, and field emission properties of vertically well-aligned ZnO nanorod arrays
期刊论文
OAI收割
journal of physical chemistry c, 2007, 卷号: 111, 期号: 34, 页码: 12566-12571
Li, C (Li, Chun)
;
Fang, GJ (Fang, Guojia)
;
Liu, NH (Liu, Nishuang)
;
Li, J (Li, Jun)
;
Liao, L (Liao, Lei)
;
Su, FH (Su, Fuhai)
;
Li, GH (Li, Guohua)
;
Wu, XG (Wu, Xiaoguang)
;
Zhao, XZ (Zhao, Xingzhong)
收藏
  |  
浏览/下载:109/0
  |  
提交时间:2010/03/29
OPTICAL-PROPERTIES
Chemical trends of defect formation in Si quantum dots: The case of group-III and group-V dopants
期刊论文
OAI收割
physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 23, 页码: art.no.235304
Xu Q (Xu Qiang)
;
Luo JW (Luo Jun-Wei)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Wei SH (Wei Su-Huai)
收藏
  |  
浏览/下载:82/0
  |  
提交时间:2010/03/29
POROUS SILICON